机译:保留铁电材料中的中间极化状态,从而实现用于多位数据存储的存储器
机译:铁电薄膜在短,中和长时间尺度上的极化保持
机译:具有中间电极的铁电栅极场效应晶体管存储器的保留和读取耐力特性
机译:零V_(TH)存储单元铁电NAND闪存,具有32%的读取干扰,24%的程序干扰,10%的数据保留率(针对企业SSD)
机译:基于模拟重量存储的局部极化的铁电记忆
机译:铁电薄膜Pb(Zr0.3Ti0.7)O3的纳米压花技术在多位存储应用中的应用
机译:保留铁电材料中的中间极化状态,从而实现用于多位数据存储的存储器
机译:用于表征迟滞铁电材料中的极化和应变的均匀能量模型(HEm):实现算法和数据驱动的参数估计技术